Forscher am Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE in Freiburg haben ein alternatives Fertigungsverfahren für die Wafer entwickelt, das das Sägen von Silizium- Scheiben überflüssig macht. Die Forscher setzten bei der Entwicklung des innovativen Verfahrens auf die sogenannte chemische Gasphasenepitaxie: Dabei wird ein gasförmiges Material bei normalem Umgebungsdruck und bei rund 1300 Grad Celsius als feste Schicht auf einer Oberfläche aufgebracht. Für die Anwendung in der Photovoltaik verfeinerten die Freiburger Forscher diese Technologie, damit sich Schichten aus hochreinem einkristallinem Silizium sehr schnell und kostengünstig herstellen lassen.